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加快打造原始創新策源地,加快突破關鍵核心技術,努力搶占科技制高點,為把我國建設成為世界科技強國作出新的更大的貢獻。

——習近平總書記在致中國科學院建院70周年賀信中作出的“兩加快一努力”重要指示要求

面向世界科技前沿、面向經濟主戰場、面向國家重大需求、面向人民生命健康,率先實現科學技術跨越發展,率先建成國家創新人才高地,率先建成國家高水平科技智庫,率先建設國際一流科研機構。

——中國科學院辦院方針

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上海光機所在激光高精度拋光機理及工藝研究中取得新進展

發布時間:2025-05-20 【字體: 】【打印】 【關閉

近期,中國科學院上海光學精密機械研究所高功率激光元件技術與工程部魏朝陽研究員團隊在激光高精度拋光機理及工藝研究中取得新進展。研究揭示了激光拋光后面形惡化的機理,并提出了激光雙面拋光工藝提升加工精度。相關研究成果以“Formation mechanism and suppression method of surface deterioration in CO2 laser polishing for fused silica”為題發表于Optics & Laser Technology

伴隨著現代光學技術的發展,熔石英元件的紫外激光誘導損傷問題嚴重制約了高功率激光系統的發展。目前,激光拋光由于具有非接觸、無加工輔料和加工靈活的技術優勢,有望實現高閾值熔石英元件的加工。然而,激光拋光受到熱應力的影響會產生不均勻的掃描軌跡,嚴重惡化面形質量,降低元件的性能和壽命。

為此,研究人員建立了考慮固體傳熱、流體流動和結構力學的多物理場耦合模型,揭示了掃描軌跡的形成機制。研究表明,反沖壓力與馬蘭戈尼效應協同作用會誘發熔池振蕩并形成掃描軌跡。通過優化拋光時間可以大幅降低表面粗糙度,同時避免掃描軌跡生成。此外,針對工業激光器功率波動導致的不可控掃描軌跡,提出激光雙面拋光的方法。實驗證實激光雙面拋光可使面形RMS值從0.433λ降至0.194λ,粗糙度由0.371 nm改善至0.270 nm,且0%概率損傷閾值從19.4 J/cm2提升至21.2 J/cm2。該研究不僅闡明了激光拋光中面形惡化的多場耦合機理,更為實現亞納米精度、高損傷閾值熔石英元件的可控制造提供了工藝范式。

原文鏈接

圖1?多物理場耦合模型示意圖

2?激光雙面拋光示意圖

3?面形結果:(a) 初始表面;(b) 激光單面拋光表面;(c) 激光雙面拋光表面。粗糙度結果:(d) 初始表面;(e) 激光單面拋光表面;(f) 激光雙面拋光表面。

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